PTFA080551FV1

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

PTFA080551FV1 datasheet

• Маркировка
  PTFA080551FV1
• Производитель
  Infineon Technologies
• Описание
  Infineon Technologies PTFA080551FV1 Product Category: Transistors RF MOSFET Power RoHS: yes Configuration: Single Transistor Polarity: N-Channel Frequency: 869 MHz to 960 MHz Gain: 18.5 dB Output Power: 55 W Drain-Source Breakdown Voltage: 65 V Continuous Drain Current: 600 mA Gate-Source Breakdown Voltage: 12 V Maximum Operating Temperature: + 150 C Package / Case: H-37265-2 Mounting Style: SMD/SMT Power Dissipation: 219 W
• Количество страниц
  11 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet PTFA080551FV1.pdf
Файл формата Pdf 205,62 KB